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唐山海泰新能科技股份有限公司位于唐山市玉田縣,南睦渤海、北依燕山唐山海泰新能科技...

  多晶硅片是制作太陽能電池的核心材料,產品被廣泛應用于光伏發電、通訊、交通以及...

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INTERSOLAR(2012)德國慕尼黑太陽能展
時間:2012年6月13-15
地點:慕尼黑新國際展覽中心
展位:A4-120B

  多晶硅片是制作太陽能電池的核心材料,產品被廣泛應用于光伏發電、通訊、交通以及偏遠地區居民的生產、生活供電等領域,還可以應用于太陽能燈、草坪燈和屋頂太陽能光伏發電等新的領域。
  海泰新能科技有限公司生產的多晶硅片是采用美國、瑞士、匈牙利等進口設備,通過不斷的科研和生產實踐,運用垂直梯度凝固技術和多線網切割技術加工而成,特別是在晶體生長速率和退火工藝方面具有自主創新工藝,能有效保證晶體的晶向和結晶速度,從而確保多晶硅片的穩定性和高轉化率。

規格標準:
  •           生長方法                                  Growth Method                                  DSS

  •                        導電型號                                   Conductive Type                                 P

  •                        摻雜劑                                       Dopant                                                  B

  •                  電阻率                                       Resistivity(ρ)                               1.0 -3.0Ω?cm

  •                  少子壽命                                   Minority Carrier Lifetime                 1.2μs(硅塊Brick

  •                        氧含量                                       Oxygen Content(oi)                         1.0*1018 at/cm3

  •                  碳含量                                       Carbon Content(c)                          1.0*1017 at/cm3

  •                  硅片尺寸                                   Size                                                   156*156±0.5mm

  •                  倒角線角度                               Bebel Edge Angle                           45°± 10°

  •                  倒角線寬度                               Bebel Edge Width                           0.5-2mm

  •                  硅片厚度                                   Thinkness                                        200±20 μm

  •                  總厚度變化                               TTV                                                     30μm

  •                  線痕                                           Saw Mark                                           15μm

  •                  彎曲度/翹曲度                          Bow/Warp                                          50μm

  •                  崩邊                                           Chip                                                    深度≤0.3mm;長度≤0.5mm

  •                  微裂紋                                       Crack                                                  不允許

  •                       外觀                                           Appearance                                       目視檢查無污點,缺口,孔洞和裂紋            

  • 156多晶硅片包裝標準:
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